စွမ်းအားမြင့် Thyristor အတွက် Snubber - စွမ်းအားမြင့် အသုံးချမှုများအတွက် အဆင့်မြင့် IGBT Snubber capacitor ဒီဇိုင်း - CRE
စွမ်းအားမြင့် Thyristor အတွက် Snubber - စွမ်းအားမြင့် အသုံးချမှုများအတွက် အဆင့်မြင့် IGBT Snubber capacitor ဒီဇိုင်း - CRE အသေးစိတ်
နည်းပညာဆိုင်ရာအချက်အလက်
လည်ပတ်အပူချိန် အပိုင်းအခြား | အမြင့်ဆုံး၊ လည်ပတ်မှုအပူချိန်။၊ အမြင့်ဆုံး၊ အများဆုံး- +၁၀၅ ဒီဂရီ အထက်အမျိုးအစား အပူချိန် : +85 ℃ အမျိုးအစားအောက်ပိုင်းအပူချိန်: -40 ℃ |
capacitance အကွာအဝေး | 0.1μF~5.6μF |
အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အား | 700V.DC~3000V.DC |
Cap.tol | ±5%(J);±10%(K) |
ဗို့အားကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ | 1.5Un DC/10S |
Dissipation factor | tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz |
လျှပ်ကာခံနိုင်ရည် | C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20℃ 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S) |
ရိုက်ခတ်နေသောလက်ရှိကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ | datasheet ကိုကြည့်ပါ။ |
မီးမလောင်ခြင်း။ | UL94V-0 |
သက်တမ်း | 100000h(Un; Θhotspot≤85°C) |
အကိုးအကားစံ | IEC61071;GB/T17702; |
သတ်မှတ်ချက်ဇယား
ဓာတ်အား | Un 700V.DC၊Urms400Vac;Us1050V | |||||||
Dimension (mm) | ||||||||
Cn(μF) | L(±1) | T(±1) | H(±1) | ESR @100KHz (mΩ) | ESL(nH) | dv/dt (V/μS) | Ipk(A) | Irms @40℃ @100KHz (A) |
၀.၄၇ | ၄၂.၅ | ၂၄.၅ | ၂၇.၅ | 12 | 25 | ၅၀၀ | ၂၃၅ | 8 |
၀.၆၈ | ၄၂.၅ | ၂၄.၅ | ၂၇.၅ | 10 | 25 | ၄၈၀ | ၃၂၆.၄ | 10 |
1 | ၄၂.၅ | ၂၄.၅ | ၂၇.၅ | 8 | 24 | ၄၅၀ | ၄၅၀ | 12 |
၁.၅ | ၄၂.၅ | ၃၃.၅ | ၃၅.၅ | 7 | 25 | ၄၃၀ | ၆၄၅ | 5 |
2 | ၄၂.၅ | 33 | ၃၅.၅ | 6 | 24 | ၄၂၀ | ၈၄၀ | 15 |
၂.၅ | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 6 | 23 | ၄၀၀ | ၁၀၀၀ | 18 |
3 | ၄၂.၅ | 33 | 45 | ၅.၅ | 22 | ၃၈၀ | ၁၁၄၀ | 20 |
3 | ၅၇.၅ | 30 | 45 | 5 | 26 | ၃၅၀ | ၁၀၅၀ | 22 |
၃.၅ | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 5 | 23 | ၃၅၀ | ၁၂၂၅ | 25 |
၃.၅ | ၅၇.၅ | 30 | 45 | 6 | 25 | ၃၀၀ | ၁၀၅၀ | 22 |
၄.၇ | ၅၇.၅ | 35 | 50 | 5 | 28 | ၂၈၀ | ၁၃၁၆ | 25 |
၅.၆ | ၅၇.၅ | 38 | 54 | 4 | 30 | ၂၅၀ | ၁၄၀၀ | 25 |
6 | ၅၇.၅ | 38 | 54 | ၃.၅ | 33 | ၂၃၀ | ၁၃၈၀ | 28 |
၆.၈ | ၅၇.၅ | ၄၂.၅ | 56 | ၃.၂ | 32 | ၂၂၀ | ၁၄၉၆ | 32 |
8 | ၅၇.၅ | ၄၂.၅ | 56 | ၂.၈ | 30 | ၂၀၀ | ၁၆၀၀ | 33 |
ဓာတ်အား | Un 1000V.DC၊Urms500Vac;Us1500V | |||||||
Dimension (mm) | ||||||||
Cn(μF) | L(±1) | T(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms |
၀.၄၇ | ၄၂.၅ | ၂၄.၅ | ၂၇.၅ | 11 | 25 | ၁၀၀၀ | ၄၇၀ | 10 |
၀.၆၈ | ၄၂.၅ | ၂၄.၅ | ၂၇.၅ | 8 | 25 | ၈၀၀ | ၅၄၄ | 12 |
1 | ၄၂.၅ | ၃၃.၅ | ၃၅.၅ | 6 | 24 | ၈၀၀ | ၈၀၀ | 15 |
၁.၅ | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 6 | 24 | ၇၀၀ | ၁၀၅၀ | 15 |
2 | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 5 | 22 | ၇၀၀ | ၁၄၀၀ | 20 |
၂.၅ | ၅၇.၅ | 30 | 45 | 5 | 30 | ၆၀၀ | ၁၅၀၀ | 22 |
3 | ၅၇.၅ | 35 | 50 | 4 | 30 | ၆၀၀ | ၁၈၀၀ | 25 |
၃.၃ | ၅၇.၅ | 35 | 50 | ၃.၅ | 28 | ၅၅၀ | ၁၈၁၅ | 25 |
၃.၅ | ၅၇.၅ | 38 | 54 | ၃.၅ | 28 | ၅၀၀ | ၁၇၅၀ | 25 |
4 | ၅၇.၅ | 38 | 54 | ၃.၂ | 26 | ၅၀၀ | ၂၀၀၀ | 28 |
၄.၇ | ၅၇.၅ | ၄၂.၅ | 56 | 3 | 25 | ၄၂၀ | ၁၉၇၄ | 30 |
၅.၆ | ၅၇.၅ | ၄၂.၅ | 56 | ၂.၈ | 24 | ၄၀၀ | ၂၂၄၀ | 32 |
ဓာတ်အား | Un 1200V.DC၊Urms550Vac;Us1800V | |||||||
Cn(μF) | L(±1) | T(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms |
၀.၄၇ | ၄၂.၅ | ၂၄.၅ | ၂၇.၅ | 11 | 24 | ၁၂၀၀ | ၅၆၄ | 10 |
၀.၆၈ | ၄၂.၅ | ၃၃.၅ | ၃၅.၅ | 7 | 23 | ၁၁၀၀ | ၇၄၈ | 12 |
1 | ၄၂.၅ | ၃၃.၅ | ၃၅.၅ | 6 | 22 | ၈၀၀ | ၈၀၀ | 14 |
၁.၅ | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 5 | 20 | ၈၀၀ | ၁၂၀၀ | 15 |
2 | ၅၇.၅ | 30 | 45 | 4 | 30 | ၇၅၀ | ၁၅၀၀ | 20 |
၂.၅ | ၅၇.၅ | 35 | 50 | 4 | 28 | ၇၀၀ | ၁၇၅၀ | 25 |
3 | ၅၇.၅ | 35 | 50 | 4 | 27 | ၆၀၀ | ၁၈၀၀ | 25 |
၃.၃ | ၅၇.၅ | 38 | 54 | 4 | 27 | ၅၅၀ | ၁၈၁၅ | 28 |
၃.၅ | ၅၇.၅ | 38 | 54 | ၃.၅ | 25 | ၅၀၀ | ၁၇၅၀ | 28 |
4 | ၅၇.၅ | ၄၂.၅ | 56 | ၃.၅ | 25 | ၄၅၀ | ၁၈၀၀ | 30 |
၄.၇ | ၅၇.၅ | ၄၂.၅ | 56 | ၃.၂ | 23 | ၄၂၀ | ၁၉၇၄ | 32 |
ဓာတ်အား | Un 1700V.DC၊Urms575Vac;Us2250V | |||||||
Cn(μF) | L(±1) | T(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms |
၀.၃၃ | ၄၂.၅ | ၂၄.၅ | ၂၇.၅ | 12 | 25 | ၁၃၀၀ | ၄၂၉ | 9 |
၀.၄၇ | ၄၂.၅ | ၂၄.၅ | ၂၇.၅ | 10 | 24 | ၁၃၀၀ | ၆၁၁ | 10 |
၀.၆၈ | ၄၂.၅ | ၃၃.၅ | ၃၅.၅ | 8 | 23 | ၁၃၀၀ | ၈၈၄ | 12 |
1 | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 7 | 22 | ၁၂၀၀ | ၁၂၀၀ | 15 |
၁.၅ | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 6 | 22 | ၁၂၀၀ | ၁၈၀၀ | 18 |
၁.၅ | ၅၇.၅ | 30 | 45 | 5 | 31 | ၁၂၀၀ | ၁၈၀၀ | 20 |
2 | ၅၇.၅ | 30 | 45 | 5 | 30 | ၁၁၀၀ | ၂၂၀၀ | 22 |
၂.၅ | ၅၇.၅ | 35 | 50 | 4 | 28 | ၁၁၀၀ | ၂၇၅၀ | 25 |
3 | ၅၇.၅ | 38 | 54 | 4 | 27 | ၇၀၀ | ၂၁၀၀ | 25 |
၃.၃ | ၅၇.၅ | 38 | 54 | ၃.၈ | 26 | ၆၀၀ | ၁၉၈၀ | 28 |
၃.၅ | ၅၇.၅ | ၄၂.၅ | 56 | ၃.၅ | 25 | ၅၀၀ | ၁၇၅၀ | 30 |
4 | ၅၇.၅ | ၄၂.၅ | 56 | ၃.၂ | 25 | ၄၅၀ | ၁၈၀၀ | 32 |
ဓာတ်အား | Un 2000V.DC၊Urms700Vac;Us3000V | |||||||
Cn(μF) | L(±1) | T(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms |
၀.၂၂ | ၄၂.၅ | ၂၄.၅ | ၂၇.၅ | 15 | 25 | ၁၅၀၀ | ၃၃၀ | 10 |
၀.၃၃ | ၄၂.၅ | ၃၃.၅ | ၃၅.၅ | 12 | 24 | ၁၅၀၀ | ၄၉၅ | 12 |
၀.၄၇ | ၄၂.၅ | ၃၃.၅ | ၃၅.၅ | 11 | 23 | ၁၄၀၀ | ၆၅၈ | 15 |
၀.၆၈ | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 8 | 22 | ၁၂၀၀ | ၈၁၆ | 18 |
၀.၆၈ | ၅၇.၅ | 30 | 45 | 7 | 30 | ၁၁၀၀ | ၇၄၈ | 20 |
၀.၈၂ | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 7 | 28 | ၁၂၀၀ | ၉၈၄ | 22 |
1 | ၅၇.၅ | 30 | 45 | 6 | 28 | ၁၁၀၀ | ၁၁၀၀ | 25 |
၁.၅ | ၅၇.၅ | 35 | 50 | 5 | 25 | ၁၀၀၀ | ၁၅၀၀ | 28 |
2 | ၅၇.၅ | 38 | 54 | 5 | 24 | ၈၀၀ | ၁၆၀၀ | 28 |
၂.၂ | ၅၇.၅ | ၄၂.၅ | 56 | 4 | 23 | ၇၀၀ | ၁၅၄၀ | 32 |
ဓာတ်အား | Un 3000V.DC၊Urms750Vac;Us4500V | |||||||
Cn(μF) | L(±1) | T(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms |
၀.၁၅ | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 18 | 28 | ၂၅၀၀ | ၃၇၅ | 25 |
၀.၂၂ | ၄၂.၅ | 33 | 45 | 15 | 27 | ၂၂၀၀ | ၄၈၄ | 28 |
၀.၂၂ | ၅၇.၅ | 35 | 50 | 15 | 25 | ၂၀၀၀ | ၃၃၀ | 20 |
၀.၃၃ | ၅၇.၅ | 35 | 50 | 12 | 24 | ၁၈၀၀ | ၄၉၅ | 20 |
၀.၄၇ | ၅၇.၅ | 38 | 54 | 11 | 23 | ၁၆၀၀ | ၇၅၂ | 22 |
၀.၆၈ | ၅၇.၅ | ၄၂.၅ | 56 | 8 | 22 | ၁၅၀၀ | ၁၀၂၀ | 28 |
ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်ပုံများ
ဆက်စပ်ထုတ်ကုန်လမ်းညွှန်-
Our intention is always to satisfy our buyers by offer golden provider, great rate and good quality for Factory made hot-sale Snubber For High Powered Thyristor - မြင့်မားသောပါဝါသုံးမှုအတွက် IGBT Snubber capacitor ဒီဇိုင်း - CRE , ထုတ်ကုန်အားလုံးအား ထောက်ပံ့ပေးပါမည်။ မိုနာကို၊ ပေါ်တူဂီ၊ မွန်ထရီရယ် အစရှိသော ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းတွင် ကျွန်ုပ်တို့တွင် နိုင်ငံပေါင်း 20 ကျော်မှ ဖောက်သည်များရှိပြီး ကျွန်ုပ်တို့၏ ဂုဏ်သတင်းကို ကျွန်ုပ်တို့၏ လေးစားထိုက်သော ဖောက်သည်များက အသိအမှတ်ပြုထားပါသည်။အဆုံးမရှိသော တိုးတက်မှုနှင့် 0% ချို့တဲ့မှုအတွက် ကြိုးပမ်းခြင်းသည် ကျွန်ုပ်တို့၏ အဓိက အရည်အသွေးမူဝါဒနှစ်ခုဖြစ်သည်။သင်တစ်ခုခုလိုအပ်ပါက ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ရန် မတွန့်ဆုတ်ပါနှင့်။
စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ဤလုပ်ငန်းသည် ခိုင်မာပြီး ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းရှိပြီး ခေတ်နှင့်အညီ တိုးတက်လျက်ရှိပြီး ရေရှည်တည်တံ့ခိုင်မြဲသော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့သည် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်ခွင့်ရရှိသည့်အတွက် အလွန်ဝမ်းမြောက်မိပါသည်။ By Sara မှ Belize - 2017.06.25 12:48
သင့်ထံ မက်ဆေ့ချ်ပို့ပါ-
သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။