မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော Resonant Switched Capacitor

စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် Resonant Switched Capacitor Featured Image

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

RMJ-MT စီးရီး capacitors များကို မြင့်မားသောပါဝါပဲ့တင်ထပ်မှုဆားကစ်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး polypropylene film ၏ low loss dielectric ကို အသုံးပြုထားသည်။

၎င်းသည် ဗို့အားနိမ့်၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်၊ AC ပဲ့တင်ထပ်နိုင်သော capacitor ဖြေရှင်းချက်အတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ PDF အဖြစ် ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန် တဂ်များ

နည်းပညာဆိုင်ရာဒေတာ

လည်ပတ်မှုအပူချိန်အပိုင်းအခြား	အများဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန်၊ အမြင့်ဆုံး၊ +၉၀℃ အထက်အမျိုးအစား အပူချိန်- +၈၅℃ အောက်အမျိုးအစား အပူချိန်- -၄၀℃
စွမ်းရည်အပိုင်းအခြား	၁ မိုက်ခရိုဖာရင်ဟိုက်～၈ မိုက်ခရိုဖာရင်ဟိုက်
သတ်မှတ်ထားသောဗို့အား	၁၂၀၀ဗို့။ဒီစီ～၄၀၀၀ဗို့။ဒီစီ
Cap.tol	±၅%(ဂျူး) ;±၁၀%(ကေ)
ဗို့အားကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း	၁.၅Un / ၁၀S
ပျံ့နှံ့မှုအချက်	tgδ≤0.001 f=1KHz
လျှပ်ကာခုခံမှု	RS*C≥5000S (20 ℃ 100V မှာ။ DC 60S)
သက်တမ်းခန့်မှန်းခြေ	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ကိုးကားစံနှုန်း	IEC 61071; IEC 60110

အင်္ဂါရပ်

၁။ မိုင်လာတိပ်ထုပ်ပိုးမှု၊ သစ်စေးဖြင့် တံဆိပ်ခတ်ထားခြင်းကြောင့် ပေါ့ပါးသည်။
၂။ ကြေးနီခွံမာသီးကြိုးများ၊ အရွယ်အစားသေးငယ်ခြင်း၊ တပ်ဆင်ရလွယ်ကူခြင်း။
၃။ ESL နှင့် ESR နည်းပါးခြင်း။
၄။ မြင့်မားသော pulse Current;
၅။ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း လျှပ်စီးကြောင်းစွမ်းရည်။

လျှောက်လွှာ

၁။ စီးရီး/အပြိုင် ပဲ့တင်ထပ်မှု ဆားကစ်ရှိ ပါဝါ အီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုသည်။

၂။ ဂဟေဆော်ခြင်း၊ ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ induction အပူပေးစက်ကိရိယာများ ပဲ့တင်ထပ်ခြင်း အခါသမယများ။

မျဉ်းကြောင်းပုံဆွဲခြင်း

ဓာတ်အား	ယူအန် ၁၂၀၀ ဗို့။ ဒီစီ ယူအမ်အက်စ် ၅၀၀ ဗို့။ အဲပ် 710 ဗို့
Cn(uF)	φD (မီလီမီတာ)	အလျား (မီလီမီတာ)	ESR @ 100KHz (mΩ))	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	Irms (၄၀ ℃ @ ၁၀၀KHz)	Qn (kVar)
၁	38	40	၄.၈	27	၉၀၀	၉၀၀	35	၁၅.၈
၁.၅	46	40	၃.၂	25	၈၀၀	၁၂၀၀	45	၂၀.၃
2	53	40	၂.၄	25	၇၅၀	၁၅၀၀	50	၂၂.၅
2	38	47	၂.၄	28	၇၂၀	၁၄၄၀	33	၁၄.၉
3	64	40	၁.၆	23	၆၈၀	၂၀၄၀	60	၂၇.၀
3	45	47	၂.၁	27	၆၂၀	၁၈၆၀ ခုနှစ်	40	၁၈.၀
4	52	47	၁.၆	26	၅၅၀	၂၂၀၀	45	၂၀.၃
5	58	47	၁.၃	25	၅၀၀	၂၅၀၀	53	၂၃.၉
6	63	47	၁.၁	23	၄၅၀	၂၇၀၀	58	၂၆.၁
7	68	47	၀.၉	22	၄၅၀	၃၁၅၀	60	၂၇.၀
8	73	47	၀.၈	20	၄၀၀	၃၂၀၀	65	၂၉.၃

ဓာတ်အား	Un 2000V.DC Urms 750V.AC Upeak 1050V
Cn(uF)	φD (မီလီမီတာ)	အလျား (မီလီမီတာ)	ESR @ 100KHz (mΩ))	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	Irms (၄၀ ℃ @ ၁၀၀KHz)	Qn (kVar)
၁	41	40	၄.၀	27	၁၁၀၀	၁၁၀၀	38	၂၅.၇
၁.၅	50	40	၂.၇	26	၁၀၀၀	၁၅၀၀	48	၃၂.၄
2	58	40	၂.၀	25	၉၀၀	၁၈၀၀	55	၃၇.၁
2	49	60	၂.၀	26	၈၅၀	၁၇၀၀	45	၃၀.၄
3	70	40	၁.၃	23	၇၅၀	၂၂၅၀	65	၄၃.၉
3	59	60	၁.၉	25	၆၅၀	၁၉၅၀ ခုနှစ်	55	၃၇.၁
4	81	40	၁.၄	22	၆၀၀	၂၄၀၀	75	၅၀.၆
4	68	60	၁.၄	23	၅၅၀	၂၂၀၀	62	၄၁.၉
5	76	60	၁.၁	22	၅၀၀	၂၅၀၀	70	၄၇.၃
6	83	60	၀.၉	21	၄၈၀	၂၈၈၀	75	၅၀.၆

ဓာတ်အား	Un 30000V.DC Urms 1200V.AC Upeak 1700V
Cn(uF)	φD (မီလီမီတာ)	အလျား (မီလီမီတာ)	ESR @ 100KHz (mΩ))	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	Irms (၄၀ ℃ @ ၁၀၀KHz)	Qn (kVar)
၀.၃၃	43	44	၇.၂	26	၁၈၀၀	၅၉၄	40	၄၃.၂
၀.၄၇	51	44	၅.၅	25	၁၇၀၀	၇၉၉	48	၅၁.၈
၀.၅	53	44	၄.၈	25	၁၆၀၀	၈၀၀	50	၅၄.၀
၀.၆၈	61	44	၃.၅	24	၁၅၀၀	၁၀၂၀	56	၆၀.၅
၀.၇၅	64	44	၃.၂	24	၁၄၀၀	၁၀၅၀	60	၆၄.၈
၀.၈	66	44	၄.၀	23	၁၃၅၀	၁၀၈၀	62	၆၇.၀
၁	74	44	၃.၂	22	၁၃၀၀	၁၃၀၀	70	၇၅.၆
၁.၂	81	44	၂.၇	21	၁၂၅၀	၁၅၀၀	75	၈၁.၀
၁.၅	90	44	၂.၁	20	၁၂၀၀	၁၈၀၀	80	၈၆.၄

ဓာတ်အား	Un 4000V.DC Urms 1500V.AC Upeak 2100V
Cn(uF)	φD (မီလီမီတာ)	အလျား (မီလီမီတာ)	ESR @ 100KHz (mΩ))	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	Irms (၄၀ ℃ @ ၁၀၀KHz)	Qn (kVar)
၀.၀၈	46	60	၁၀.၀	28	၃၀၀၀	၂၄၀	40	၅၁.၀
၀.၁	51	60	၈.၀	27	၂၈၅၀	၂၈၅	45	၅၇.၄
၀.၁၂	56	60	၆.၆	26	၂၇၅၀	၃၃၀	50	၆၃.၈
၀.၁၅	63	60	၈.၅	25	၂၅၀၀	၃၇၅	58	၇၄.၀
၀.၁၈	64	60	၇.၁	25	၂၄၀၀	၄၃၂	60	၇၆.၅
၀.၂၅	80	60	၅.၁	23	၂၂၀၀	၅၅၀	75	၉၅.၆
၀.၃၃	52	60	၃.၉	23	၂၀၀၀ ခုနှစ်	၆၆၀	48	၆၁.၂
၀.၄၇	62	60	၅.၁	22	၁၈၀၀	၈၄၆	58	၇၄.၀
၀.၅	64	60	၄.၈	22	၁၇၀၀	၈၅၀	60	၇၆.၅
၀.၆၈	75	60	၃.၅	20	၁၆၀၀	၁၀၈၈	70	၈၉.၃
၀.၇၅	78	60	၃.၂	20	၁၅၀၀	၁၁၂၅	72	၉၁.၈