High-Efficiency Resonant Switched Capacitor

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

RMJ-MT Series capacitors များသည် စွမ်းအားမြင့် ပဲ့တင်ထပ်သည့် ဆားကစ်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး polypropylene ဖလင်၏ low loss dielectric ကို အသုံးပြုထားသည်။

၎င်းသည် စံပြနိမ့်ဗို့အား၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော AC resonant capacitor ဖြေရှင်းချက်ဖြစ်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF အဖြစ် ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

နည်းပညာဆိုင်ရာအချက်အလက်

လည်ပတ်အပူချိန် အပိုင်းအခြား	အမြင့်ဆုံး၊ လည်ပတ်မှုအပူချိန်။၊ အမြင့်ဆုံး၊ အမြင့်ဆုံး- + 90 ℃ အထက်အမျိုးအစား အပူချိန် : +85 ℃ အောက်အမျိုးအစား အပူချိန် : -40 ℃
capacitance အကွာအဝေး	1μF～8μF
အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အား	1200V.DC～4000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
ဗို့အားကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။	1.5Un /10S
Dissipation factor	tgδ≤0.001 f=1KHz
လျှပ်ကာခံနိုင်ရည်	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S တွင်)
သက်တမ်း	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
အကိုးအကားစံ	IEC 61071 ;IEC 60110

ထူးခြားချက်

1. Mylar တိပ်အထုပ်၊ အစေးဖြင့် အလုံပိတ်၊ ပေါ့ပါးစေသည်။
2. ကြေးနီအခွံမာသီးများ, သေးငယ်သောအရွယ်အစား, လွယ်ကူသောတပ်ဆင်;
3. နိမ့်သော ESL နှင့် ESR;
4. High pulse Current;
5. High-frequency လက်ရှိစွမ်းရည်။

လျှောက်လွှာ

1. စီးရီး/အပြိုင် ပဲ့တင်ထပ်သော ဆားကစ်များတွင် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်။

2. ဂဟေဆော်ခြင်း၊ ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ induction အပူပေးကိရိယာများ ပဲ့တင်ထပ်သည့် အခါသမယများ။

ကောက်ကြောင်းဆွဲခြင်း။

ဓာတ်အား	Un 1200V.DC Urms 500V.AC Upeak 710V
Cn(uF)	φD (မီလီမီတာ)	L(mm)	ESR@100KHz (mΩ))	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (40 ℃ @ 100KHz)	Qn (kVar)
၁	38	40	၄.၈	27	၉၀၀	၉၀၀	35	၁၅.၈
၁.၅	46	40	၃.၂	25	၈၀၀	၁၂၀၀	45	၂၀.၃
2	53	40	၂.၄	25	၇၅၀	၁၅၀၀	50	၂၂.၅
2	38	47	၂.၄	28	၇၂၀	၁၄၄၀	33	၁၄.၉
3	64	40	၁.၆	23	၆၈၀	၂၀၄၀	60	၂၇.၀
3	45	47	၂.၁	27	၆၂၀	၁၈၆၀	40	၁၈.၀
4	52	47	၁.၆	26	၅၅၀	၂၂၀၀	45	၂၀.၃
5	58	47	၁.၃	25	၅၀၀	၂၅၀၀	53	၂၃.၉
6	63	47	၁.၁	23	၄၅၀	၂၇၀၀	58	၂၆.၁
7	68	47	၀.၉	22	၄၅၀	၃၁၅၀	60	၂၇.၀
8	73	47	၀.၈	20	၄၀၀	၃၂၀၀	65	၂၉.၃

ဓာတ်အား	Un 2000V.DC Urms 750V.AC Upeak 1050V
Cn(uF)	φD (မီလီမီတာ)	L(mm)	ESR@100KHz (mΩ))	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (40 ℃ @ 100KHz)	Qn (kVar)
၁	41	40	4.0	27	၁၁၀၀	၁၁၀၀	38	၂၅.၇
၁.၅	50	40	၂.၇	26	၁၀၀၀	၁၅၀၀	48	၃၂.၄
2	58	40	2.0	25	၉၀၀	၁၈၀၀	55	၃၇.၁
2	49	60	2.0	26	၈၅၀	၁၇၀၀	45	၃၀.၄
3	70	40	၁.၃	23	၇၅၀	၂၂၅၀	65	၄၃.၉
3	59	60	၁.၉	25	၆၅၀	၁၉၅၀	55	၃၇.၁
4	81	40	၁.၄	22	၆၀၀	၂၄၀၀	75	၅၀.၆
4	68	60	၁.၄	23	၅၅၀	၂၂၀၀	62	၄၁.၉
5	76	60	၁.၁	22	၅၀၀	၂၅၀၀	70	၄၇.၃
6	83	60	၀.၉	21	၄၈၀	၂၈၈၀	75	၅၀.၆

ဓာတ်အား	Un 30000V.DC Urms 1200V.AC Upeak 1700V
Cn(uF)	φD (မီလီမီတာ)	L(mm)	ESR@100KHz (mΩ))	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (40 ℃ @ 100KHz)	Qn (kVar)
၀.၃၃	43	44	၇.၂	26	၁၈၀၀	၅၉၄	40	၄၃.၂
၀.၄၇	51	44	၅.၅	25	၁၇၀၀	၇၉၉	48	၅၁.၈
၀.၅	53	44	၄.၈	25	၁၆၀၀	၈၀၀	50	၅၄.၀
၀.၆၈	61	44	၃.၅	24	၁၅၀၀	၁၀၂၀	56	၆၀.၅
၀.၇၅	64	44	၃.၂	24	၁၄၀၀	၁၀၅၀	60	၆၄.၈
၀.၈	66	44	4.0	23	၁၃၅၀	၁၀၈၀	62	၆၇.၀
၁	74	44	၃.၂	22	၁၃၀၀	၁၃၀၀	70	၇၅.၆
၁.၂	81	44	၂.၇	21	၁၂၅၀	၁၅၀၀	75	၈၁.၀
၁.၅	90	44	၂.၁	20	၁၂၀၀	၁၈၀၀	80	၈၆.၄

ဓာတ်အား	Un 4000V.DC Urms 1500V.AC Upeak 2100V
Cn(uF)	φD (မီလီမီတာ)	L(mm)	ESR@100KHz (mΩ))	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (40 ℃ @ 100KHz)	Qn (kVar)
၀.၀၈	46	60	၁၀.၀	28	၃၀၀၀	၂၄၀	40	၅၁.၀
၀.၁	51	60	၈.၀	27	၂၈၅၀	၂၈၅	45	၅၇.၄
၀.၁၂	56	60	၆.၆	26	၂၇၅၀	၃၃၀	50	၆၃.၈
၀.၁၅	63	60	၈.၅	25	၂၅၀၀	၃၇၅	58	၇၄.၀
၀.၁၈	64	60	၇.၁	25	၂၄၀၀	၄၃၂	60	၇၆.၅
၀.၂၅	80	60	၅.၁	23	၂၂၀၀	၅၅၀	75	၉၅.၆
၀.၃၃	52	60	၃.၉	23	၂၀၀၀	၆၆၀	48	၆၁.၂
၀.၄၇	62	60	၅.၁	22	၁၈၀၀	၈၄၆	58	၇၄.၀
၀.၅	64	60	၄.၈	22	၁၇၀၀	၈၅၀	60	၇၆.၅
၀.၆၈	75	60	၃.၅	20	၁၆၀၀	၁၀၈၈	70	၈၉.၃
၀.၇၅	78	60	၃.၂	20	၁၅၀၀	၁၁၂၅	72	၉၁.၈