IGBT အသုံးချမှုအတွက် polypropylene film Snubber capacitor ၏ ဆုံးရှုံးမှုနည်းသော dielectric

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

CRE IGBT snubber capacitors အမျိုးအစားများသည် ROHS နှင့် REACH နှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

၁။ UL94-VO နှင့် ကိုက်ညီသော ပလတ်စတစ်အကာနှင့် epoxy end fill ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် မီးလျှံခံနိုင်စွမ်းကို သေချာစေသည်။

၂။ Terminal စတိုင်များနှင့် အဖုံးအရွယ်အစားများကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ PDF အဖြစ် ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန် တဂ်များ

SMJ-P စီးရီး

အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားအပိုင်းအခြား: 1000 VDC မှ 2000 VDC
စွမ်းရည်အပိုင်းအခြား: 0.1 uf မှ 3.0 uf အထိ
တပ်ဆင်ရန် အကွာအဝေး: ၂၂.၅ မီလီမီတာ မှ ၄၈ မီလီမီတာ
တည်ဆောက်ပုံ- သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော Polypropylene Dielectric Internal Series Connection
အသုံးချမှု: IGBT ကာကွယ်မှု၊ ပဲ့တင်ထပ်မှု တင့်ကား ဆားကစ်များ

အလိုအလျောက်ပြန်လည်ကုစားနိုင်သော၊ ခြောက်သွေ့သောအမျိုးအစား၊ snubber capacitor အစိတ်အပိုင်းများကို အထူးပရိုဖိုင်ပြုလုပ်ထားသော၊ လှိုင်းဖြတ်သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော PP ဖလင်ကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားပြီး ၎င်းသည် အလိုအလျောက်လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနည်းပါးခြင်း၊ ပေါက်ကွဲခြင်းခံနိုင်ရည်မြင့်မားခြင်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုမြင့်မားခြင်းတို့ကို သေချာစေသည်။ ဖိအားလွန်ကဲစွာဖြတ်တောက်ခြင်းကို မလိုအပ်ဟု ယူဆပါသည်။ capacitor အပေါ်ပိုင်းကို အလိုအလျောက်မီးငြိမ်းနိုင်သော သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်သော epoxy ဖြင့် လုံအောင်ပိတ်ထားသည်။ အထူးဒီဇိုင်းဖြင့် အလိုအလျောက်လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း အလွန်နည်းပါးကြောင်း သေချာစေသည်။

သတ်မှတ်ချက်ဇယား

ဓာတ်အား	Un 700V။ DC၊ Urms400Vac; Us1050V
	အတိုင်းအတာ (မီလီမီတာ)
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	Irms @၄၀ ℃ @၁၀၀KHz (A)
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	12	25	၅၀၀	၂၃၅	8
၀.၆၈	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	10	25	၄၈၀	၃၂၆.၄	10
1	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	8	24	၄၅၀	၄၅၀	12
၁.၅	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	7	25	၄၃၀	၆၄၅	5
2	၄၂.၅	33	၃၅.၅	6	24	၄၂၀	၈၄၀	15
၂.၅	၄၂.၅	33	45	6	23	၄၀၀	၁၀၀၀	18
3	၄၂.၅	33	45	၅.၅	22	၃၈၀	၁၁၄၀	20
3	၅၇.၅	30	45	5	26	၃၅၀	၁၀၅၀	22
၃.၅	၄၂.၅	33	45	5	23	၃၅၀	၁၂၂၅	25
၃.၅	၅၇.၅	30	45	6	25	၃၀၀	၁၀၅၀	22
၄.၇	၅၇.၅	35	50	5	28	၂၈၀	၁၃၁၆	25
၅.၆	၅၇.၅	38	54	4	30	၂၅၀	၁၄၀၀	25
6	၅၇.၅	38	54	၃.၅	33	၂၃၀	၁၃၈၀	28
၆.၈	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၂	32	၂၂၀	၁၄၉၆	32
8	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၂.၈	30	၂၀၀	၁၆၀၀	33

ဓာတ်အား	Un 1000V။ DC၊ Urms500Vac; US1500V
	အတိုင်းအတာ (မီလီမီတာ)
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	အိုင်အမ်စ်
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	11	25	၁၀၀၀	၄၇၀	10
၀.၆၈	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	8	25	၈၀၀	၅၄၄	12
1	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	6	24	၈၀၀	၈၀၀	15
၁.၅	၄၂.၅	33	45	6	24	၇၀၀	၁၀၅၀	15
2	၄၂.၅	33	45	5	22	၇၀၀	၁၄၀၀	20
၂.၅	၅၇.၅	30	45	5	30	၆၀၀	၁၅၀၀	22
3	၅၇.၅	35	50	4	30	၆၀၀	၁၈၀၀	25
၃.၃	၅၇.၅	35	50	၃.၅	28	၅၅၀	၁၈၁၅ ခုနှစ်	25
၃.၅	၅၇.၅	38	54	၃.၅	28	၅၀၀	၁၇၅၀	25
4	၅၇.၅	38	54	၃.၂	26	၅၀၀	၂၀၀၀ ခုနှစ်	28
၄.၇	၅၇.၅	၄၂.၅	56	3	25	၄၂၀	၁၉၇၄ ခုနှစ်	30
၅.၆	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၂.၈	24	၄၀၀	၂၂၄၀	32

ဓာတ်အား	ယူအန် ၁၂၀၀ ဗို့။ ဒီစီ၊ ယူအမ် ၅၅၀ ဗို့။ ယူအက်စ် ၁၈၀၀ ဗို့
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	အိုင်အမ်စ်
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	11	24	၁၂၀၀	၅၆၄	10
၀.၆၈	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	7	23	၁၁၀၀	၇၄၈	12
1	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	6	22	၈၀၀	၈၀၀	14
၁.၅	၄၂.၅	33	45	5	20	၈၀၀	၁၂၀၀	15
2	၅၇.၅	30	45	4	30	၇၅၀	၁၅၀၀	20
၂.၅	၅၇.၅	35	50	4	28	၇၀၀	၁၇၅၀	25
3	၅၇.၅	35	50	4	27	၆၀၀	၁၈၀၀	25
၃.၃	၅၇.၅	38	54	4	27	၅၅၀	၁၈၁၅ ခုနှစ်	28
၃.၅	၅၇.၅	38	54	၃.၅	25	၅၀၀	၁၇၅၀	28
4	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၅	25	၄၅၀	၁၈၀၀	30
၄.၇	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၂	23	၄၂၀	၁၉၇၄ ခုနှစ်	32

ဓာတ်အား	ယူအန် ၁၇၀၀ ဗို့။ ဒီစီ၊ ယူအမ် ၅၇၅ ဗို့; ယူအက်စ် ၂၂၅၀ ဗို့
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	အိုင်အမ်စ်
၀.၃၃	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	12	25	၁၃၀၀	၄၂၉	9
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	10	24	၁၃၀၀	၆၁၁	10
၀.၆၈	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	8	23	၁၃၀၀	၈၈၄	12
1	၄၂.၅	33	45	7	22	၁၂၀၀	၁၂၀၀	15
၁.၅	၄၂.၅	33	45	6	22	၁၂၀၀	၁၈၀၀	18
၁.၅	၅၇.၅	30	45	5	31	၁၂၀၀	၁၈၀၀	20
2	၅၇.၅	30	45	5	30	၁၁၀၀	၂၂၀၀	22
၂.၅	၅၇.၅	35	50	4	28	၁၁၀၀	၂၇၅၀	25
3	၅၇.၅	38	54	4	27	၇၀၀	၂၁၀၀	25
၃.၃	၅၇.၅	38	54	၃.၈	26	၆၀၀	၁၉၈၀ ခုနှစ်	28
၃.၅	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၅	25	၅၀၀	၁၇၅၀	30
4	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၂	25	၄၅၀	၁၈၀၀	32

ဓာတ်အား	Un 2000V။ DC၊ Urms 700Vac; US 3000V
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	အိုင်အမ်စ်
၀.၂၂	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	15	25	၁၅၀၀	၃၃၀	10
၀.၃၃	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	12	24	၁၅၀၀	၄၉၅	12
၀.၄၇	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	11	23	၁၄၀၀	၆၅၈	15
၀.၆၈	၄၂.၅	33	45	8	22	၁၂၀၀	၈၁၆	18
၀.၆၈	၅၇.၅	30	45	7	30	၁၁၀၀	၇၄၈	20
၀.၈၂	၄၂.၅	33	45	7	28	၁၂၀၀	၉၈၄	22
1	၅၇.၅	30	45	6	28	၁၁၀၀	၁၁၀၀	25
၁.၅	၅၇.၅	35	50	5	25	၁၀၀၀	၁၅၀၀	28
2	၅၇.၅	38	54	5	24	၈၀၀	၁၆၀၀	28
၂.၂	၅၇.၅	၄၂.၅	56	4	23	၇၀၀	၁၅၄၀	32

ဓာတ်အား	Un 3000V။ DC၊ Urms 750Vac; US 4500V
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	အိုင်အမ်စ်
၀.၁၅	၄၂.၅	33	45	18	28	၂၅၀၀	၃၇၅	25
၀.၂၂	၄၂.၅	33	45	15	27	၂၂၀၀	၄၈၄	28
၀.၂၂	၅၇.၅	35	50	15	25	၂၀၀၀ ခုနှစ်	၃၃၀	20
၀.၃၃	၅၇.၅	35	50	12	24	၁၈၀၀	၄၉၅	20
၀.၄၇	၅၇.၅	38	54	11	23	၁၆၀၀	၇၅၂	22
၀.၆၈	၅၇.၅	၄၂.၅	56	8	22	၁၅၀၀	၁၀၂၀	28