• ဘီဘီ

သတ္တုဖလင် ကက်ပတာများ၏ ကိုယ်တိုင်ကုစားခြင်းအကြောင်း အကျဉ်းချုပ်မိတ်ဆက် (1)

အော်ဂဲနိုမက်တလစ် ဖလင် ကက်ပတာများ၏ အကြီးမားဆုံး အကျိုးကျေးဇူးမှာ ၎င်းတို့သည် ကိုယ်တိုင် ကုသနိုင်ခြင်းဖြစ်ပြီး၊ ဤကက်ပတာများကို ယနေ့ခေတ်တွင် အလျင်မြန်ဆုံး ကြီးထွားလာသော ကက်ပတာများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်စေသည်။

သတ္တုပြား capacitor များ၏ self-healing ယန္တရားနှစ်ခုရှိသည်- တစ်ခုမှာ discharge self-healing ဖြစ်ပြီး နောက်တစ်ခုမှာ electrochemical self-healing ဖြစ်သည်။ ရှေ့တစ်ခုသည် မြင့်မားသောဗို့အားတွင် ဖြစ်ပေါ်သောကြောင့် ၎င်းကို high-voltage self-healing ဟုလည်း ရည်ညွှန်းသည်။ နောက်တစ်ခုမှာ အလွန်နည်းသောဗို့အားတွင်လည်း ဖြစ်ပေါ်သောကြောင့် low-voltage self-healing ဟု မကြာခဏ ရည်ညွှန်းလေ့ရှိသည်။

 

ကိုယ်တိုင်ကုသခြင်း

လျှပ်စီးကြောင်းကိုယ်တိုင်ပျောက်ကင်းခြင်း၏ ယန္တရားကို ဖော်ပြရန်အတွက်၊ R ခုခံမှုရှိသော သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော အီလက်ထရုတ်နှစ်ခုကြားရှိ အော်ဂဲနစ်ဖလင်တွင် ချို့ယွင်းချက်တစ်ခုရှိသည်ဟု ယူဆပါ။ ချို့ယွင်းချက်၏ သဘောသဘာဝပေါ် မူတည်၍ ၎င်းသည် သတ္တုချို့ယွင်းချက်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း သို့မဟုတ် လျှပ်ကာမကောင်းသော ချို့ယွင်းချက် ဖြစ်နိုင်သည်။ ထင်ရှားသည်မှာ၊ ချို့ယွင်းချက်သည် ယခင်ချို့ယွင်းချက်တစ်ခုဖြစ်သောအခါ၊ capacitor သည် ဗို့အားနိမ့်တွင် ၎င်းကိုယ်တိုင် လျှပ်စီးကြောင်းဖြတ်သွားမည်ဖြစ်သည်။ နောက်ဆုံးအခြေအနေတွင်သာ မြင့်မားသောဗို့အားလျှပ်စီးကြောင်းဟုခေါ်သော လျှပ်စီးကြောင်းသည် ၎င်းကိုယ်တိုင်ပျောက်ကင်းသွားပါသည်။

discharge self-healing လုပ်ငန်းစဉ်မှာ metalized film capacitor သို့ voltage V ပေးပြီးနောက် ohmic current I=V/R သည် defect မှတစ်ဆင့် ဖြတ်သန်းသွားသည်။ ထို့ကြောင့် current density J=V/Rπr2 သည် metallized electrode မှတစ်ဆင့် စီးဆင်းသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ defect နှင့် ဧရိယာနီးကပ်လေ (r သေးငယ်လေ) နှင့် metallized electrode အတွင်း current density မြင့်မားလေဖြစ်သည်။ defect power consumption W=(V2/R)r ကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသော Joule အပူကြောင့် semiconductor သို့မဟုတ် insulating defect ၏ resistance R သည် အဆပေါင်းများစွာ လျော့ကျသွားသည်။ ထို့ကြောင့် current I နှင့် power consumption W သည် လျင်မြန်စွာ တိုးလာပြီး ရလဒ်အနေဖြင့် metallized electrode သည် defect နှင့် အလွန်နီးကပ်သောနေရာတွင် current density J1= J=V/πr12 သိသိသာသာ မြင့်တက်လာပြီး ၎င်း၏ Joule အပူသည် ထိုဒေသရှိ metallized layer ကို အရည်ပျော်စေပြီး electrodes များကြားရှိ arc ကို ဤနေရာသို့ လွင့်စေသည်။ arc သည် လျင်မြန်စွာ အငွေ့ပျံပြီး အရည်ပျော်နေသော metal ကို လွှင့်ပစ်ကာ metal layer မပါဘဲ insulated isolation zone ကို ဖွဲ့စည်းသည်။ arc ငြိမ်းသွားပြီး self-healing ကို ရရှိသည်။

စွန့်ထုတ်မှု အလိုအလျောက် ကုစားခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဖြစ်ပေါ်လာသော Joule အပူနှင့် အာ့ခ်ကြောင့်၊ ချို့ယွင်းချက်တစ်ဝိုက်ရှိ dielectric နှင့် dielectric မျက်နှာပြင်၏ insulation isolation area သည် အပူနှင့် လျှပ်စစ်ပျက်စီးမှုများကြောင့် မလွဲမသွေ ပျက်စီးသွားပြီး၊ ထို့ကြောင့် ဓာတုပြိုကွဲခြင်း၊ ဓာတ်ငွေ့ဖွဲ့စည်းခြင်းနှင့် ကာဗွန်ဓာတ်ပြုခြင်းနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပျက်စီးမှုများပင် ဖြစ်ပေါ်ပါသည်။

 

အထက်ဖော်ပြပါအချက်များအရ၊ ပြီးပြည့်စုံသော discharge self-healing ရရှိရန်၊ ချို့ယွင်းချက်ပတ်လည်တွင် သင့်လျော်သောဒေသခံပတ်ဝန်းကျင်တစ်ခုသေချာစေရန် လိုအပ်သောကြောင့်၊ ချို့ယွင်းချက်ပတ်လည်တွင် သင့်တင့်လျောက်ပတ်သောအလတ်စား၊ သတ္တုအလွှာ၏သင့်လျော်သောအထူ၊ hermetic ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သင့်လျော်သော core voltage နှင့် capacitor ရရှိရန် သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော organic film capacitor ၏ဒီဇိုင်းကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ပြီးပြည့်စုံသော discharge self-healing ဟုခေါ်သည်- self-healing အချိန်အလွန်တိုတောင်းသည်၊ self-healing စွမ်းအင်နည်းပါးသည်၊ ချို့ယွင်းချက်များကို ကောင်းစွာခွဲထုတ်နိုင်ပြီး ပတ်ဝန်းကျင်ရှိ dielectric ကို မပျက်စီးပါ။ ကောင်းမွန်သော self-healing ရရှိရန်၊ organic film ၏မော်လီကျူးများတွင် ကာဗွန်နှင့် ဟိုက်ဒရိုဂျင်အက်တမ်အချိုးနည်းပါးပြီး အောက်ဆီဂျင်အသင့်အတင့်ပါဝင်သင့်သည်၊ ထို့ကြောင့် film မော်လီကျူးများ self-healing discharge တွင် ပြိုကွဲသွားသောအခါ၊ ကာဗွန်မထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် ကာဗွန်စုပုံခြင်းမဖြစ်ပေါ်ဘဲ၊ ဓာတ်ငွေ့များသိသိသာသာမြင့်တက်လာခြင်းဖြင့် arc ကိုငြိမ်းသတ်ရန် CO2၊ CO၊ CH4၊ C2H2 နှင့် အခြားဓာတ်ငွေ့များကို ထုတ်လုပ်ပါသည်။
ချို့ယွင်းချက်ပတ်လည်ရှိ မီဒီယာများ အလိုအလျောက် ပျောက်ကင်းသွားစေရန်အတွက်၊ ချို့ယွင်းချက်ပတ်လည်ရှိ သတ္တုလွှာကို ဖယ်ရှားရန်အတွက်၊ insulation (မြင့်မားသော ခုခံမှု) ဇုန်ဖွဲ့စည်းရန်အတွက်၊ ချို့ယွင်းချက်ကို သီးခြားခွဲထုတ်ပြီး အလိုအလျောက် ပျောက်ကင်းစေမည်ဖြစ်သည်။ လိုအပ်သော အလိုအလျောက် ပျောက်ကင်းစေသည့် စွမ်းအင်သည် သတ္တုလွှာ၊ အထူနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်၏ သတ္တုနှင့် နီးကပ်စွာ ဆက်စပ်နေသည်မှာ ထင်ရှားပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ အလိုအလျောက် ပျောက်ကင်းစေသည့် စွမ်းအင်ကို လျှော့ချပြီး အလိုအလျောက် ပျောက်ကင်းမှု ကောင်းမွန်စေရန်အတွက်၊ အရည်ပျော်မှတ်နည်းသော သတ္တုများပါသည့် အော်ဂဲနစ်ဖလင်များကို သတ္တုဖြင့် ပျောက်ကင်းစေသည့် နည်းလမ်းကို လုပ်ဆောင်ပါသည်။ ထို့အပြင်၊ သတ္တုလွှာသည် မညီမညာ ထူထဲပြီး ပါးလွှာမနေသင့်ပါ၊ အထူးသဖြင့် ခြစ်ရာများကို ရှောင်ရှားရန်၊ မဟုတ်ပါက insulation isolation area သည် အကိုင်းအခက်ကဲ့သို့ ဖြစ်လာပြီး အလိုအလျောက် ပျောက်ကင်းမှု ကောင်းမွန်စွာ ပျောက်ကင်းနိုင်မည် မဟုတ်ပါ။ CRE capacitors အားလုံးသည် ပုံမှန်ဖလင်များကို အသုံးပြုကြပြီး တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ဝင်လာသော ပစ္စည်းစစ်ဆေးမှု စီမံခန့်ခွဲမှုကို တင်းကျပ်စွာ လုပ်ဆောင်ပြီး ချို့ယွင်းနေသော ဖလင်များကို ပိတ်ဆို့ထားသောကြောင့် capacitor ဖလင်များ၏ အရည်အသွေးကို အပြည့်အဝ အာမခံပါသည်။

 

စွန့်ထုတ်မှုကိုယ်တိုင်ကုသခြင်းအပြင်၊ လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒကိုယ်တိုင်ကုသခြင်း ඉදිරියටရှိပါသေးသည်။ ဤယန္တရားအကြောင်းကို နောက်ဆောင်းပါးတွင် ဆွေးနွေးကြပါစို့။


ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၂ ခုနှစ်၊ ဖေဖော်ဝါရီလ ၁၈ ရက်

သင့်မက်ဆေ့ချ်ကို ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ-