Snubber Capacitor 1200VDC 2UF IGBT Snubber Capacitor ပါဝါထောက်ပံ့မှုပြောင်းလဲခြင်းအတွက်

Snubber Capacitor 1200VDC 2UF IGBT Snubber Capacitor for Switching Power Supply Featured Image

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

IGBT snubber SMJ-P

CRE snubber film capacitors များကို transient voltage များမှကာကွယ်ရန် လိုအပ်သော အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်းလည်ပတ်မှုအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။

၁။ မြင့်မားသော dv/dt ခံနိုင်ရည်ရှိမှု

၂။ IGBT အတွက် လွယ်ကူစွာ တပ်ဆင်နိုင်ခြင်း

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ PDF အဖြစ် ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန် တဂ်များ

လျှောက်လွှာ

- IGBT ခြစ်စက်
- အမြင့်ဆုံးဗို့အား၊ အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်းစုပ်ယူမှုကာကွယ်မှုတွင် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။

နည်းပညာဆိုင်ရာဒေတာ

လည်ပတ်မှုအပူချိန်အပိုင်းအခြား	အများဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန်၊ အမြင့်ဆုံး၊ အများဆုံး: +၁၀၅ ℃ အထက်ပိုင်း အမျိုးအစား အပူချိန်: +85℃ အနိမ့်ဆုံး အမျိုးအစား အပူချိန်: -၄၀ ℃
စွမ်းရည်အပိုင်းအခြား	၀.၁ မိုက်ခရိုဖာရင်ဟိုက်～၅.၆ မိုက်ခရိုဖာရင်ဟိုက်
သတ်မှတ်ထားသောဗို့အား	700V.DC～၃၀၀၀ ဗို့ DC
Cap.tol	±၅%(ဂျိုး)၊ ±၁၀%(ကေ)
ဗို့အားကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း	၁.၅Un DC/၁၀S
ပျံ့နှံ့မှုအချက်	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
လျှပ်ကာခုခံမှု	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (၂၀ ℃ 100V တွင်။ DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S (၂၀ ℃ 100V တွင်။ DC 60S)
လျှပ်စီးကြောင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း	ဒေတာစာရွက်ကိုကြည့်ပါ
မီးလျှံနှောင့်နှေးခြင်း	UL94V-0
သက်တမ်းခန့်မှန်းခြေ	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ကိုးကားစံနှုန်း	IEC61071; GB/T17702;

သတ်မှတ်ချက်ဇယား

ဓာတ်အား	Un 700V။ DC၊ Urms400Vac; Us1050V
	အတိုင်းအတာ (မီလီမီတာ)
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	Irms @၄၀ ℃ @၁၀၀KHz (A)
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	12	25	၅၀၀	၂၃၅	8
၀.၆၈	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	10	25	၄၈၀	၃၂၆.၄	10
1	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	8	24	၄၅၀	၄၅၀	12
၁.၅	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	7	25	၄၃၀	၆၄၅	5
2	၄၂.၅	33	၃၅.၅	6	24	၄၂၀	၈၄၀	15
၂.၅	၄၂.၅	33	45	6	23	၄၀၀	၁၀၀၀	18
3	၄၂.၅	33	45	၅.၅	22	၃၈၀	၁၁၄၀	20
3	၅၇.၅	30	45	5	26	၃၅၀	၁၀၅၀	22
၃.၅	၄၂.၅	33	45	5	23	၃၅၀	၁၂၂၅	25
၃.၅	၅၇.၅	30	45	6	25	၃၀၀	၁၀၅၀	22
၄.၇	၅၇.၅	35	50	5	28	၂၈၀	၁၃၁၆	25
၅.၆	၅၇.၅	38	54	4	30	၂၅၀	၁၄၀၀	25
6	၅၇.၅	38	54	၃.၅	33	၂၃၀	၁၃၈၀	28
၆.၈	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၂	32	၂၂၀	၁၄၉၆	32
8	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၂.၈	30	၂၀၀	၁၆၀၀	33
ဓာတ်အား	Un 1000V။ DC၊ Urms500Vac; US1500V
	အတိုင်းအတာ (မီလီမီတာ)
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	အိုင်အမ်စ်
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	11	25	၁၀၀၀	၄၇၀	10
၀.၆၈	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	8	25	၈၀၀	၅၄၄	12
1	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	6	24	၈၀၀	၈၀၀	15
၁.၅	၄၂.၅	33	45	6	24	၇၀၀	၁၀၅၀	15
2	၄၂.၅	33	45	5	22	၇၀၀	၁၄၀၀	20
၂.၅	၅၇.၅	30	45	5	30	၆၀၀	၁၅၀၀	22
3	၅၇.၅	35	50	4	30	၆၀၀	၁၈၀၀	25
၃.၃	၅၇.၅	35	50	၃.၅	28	၅၅၀	၁၈၁၅ ခုနှစ်	25
၃.၅	၅၇.၅	38	54	၃.၅	28	၅၀၀	၁၇၅၀	25
4	၅၇.၅	38	54	၃.၂	26	၅၀၀	၂၀၀၀ ခုနှစ်	28
၄.၇	၅၇.၅	၄၂.၅	56	3	25	၄၂၀	၁၉၇၄ ခုနှစ်	30
၅.၆	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၂.၈	24	၄၀၀	၂၂၄၀	32
ဓာတ်အား	ယူအန် ၁၂၀၀ ဗို့။ ဒီစီ၊ ယူအမ် ၅၅၀ ဗို့။ ယူအက်စ် ၁၈၀၀ ဗို့
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	အိုင်အမ်စ်
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	11	24	၁၂၀၀	၅၆၄	10
၀.၆၈	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	7	23	၁၁၀၀	၇၄၈	12
1	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	6	22	၈၀၀	၈၀၀	14
၁.၅	၄၂.၅	33	45	5	20	၈၀၀	၁၂၀၀	15
2	၅၇.၅	30	45	4	30	၇၅၀	၁၅၀၀	20
၂.၅	၅၇.၅	35	50	4	28	၇၀၀	၁၇၅၀	25
3	၅၇.၅	35	50	4	27	၆၀၀	၁၈၀၀	25
၃.၃	၅၇.၅	38	54	4	27	၅၅၀	၁၈၁၅ ခုနှစ်	28
၃.၅	၅၇.၅	38	54	၃.၅	25	၅၀၀	၁၇၅၀	28
4	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၅	25	၄၅၀	၁၈၀၀	30
၄.၇	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၂	23	၄၂၀	၁၉၇၄ ခုနှစ်	32
ဓာတ်အား	ယူအန် ၁၇၀၀ ဗို့။ ဒီစီ၊ ယူအမ် ၅၇၅ ဗို့; ယူအက်စ် ၂၂၅၀ ဗို့
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	အိုင်အမ်စ်
၀.၃၃	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	12	25	၁၃၀၀	၄၂၉	9
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	10	24	၁၃၀၀	၆၁၁	10
၀.၆၈	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	8	23	၁၃၀၀	၈၈၄	12
1	၄၂.၅	33	45	7	22	၁၂၀၀	၁၂၀၀	15
၁.၅	၄၂.၅	33	45	6	22	၁၂၀၀	၁၈၀၀	18
၁.၅	၅၇.၅	30	45	5	31	၁၂၀၀	၁၈၀၀	20
2	၅၇.၅	30	45	5	30	၁၁၀၀	၂၂၀၀	22
၂.၅	၅၇.၅	35	50	4	28	၁၁၀၀	၂၇၅၀	25
3	၅၇.၅	38	54	4	27	၇၀၀	၂၁၀၀	25
၃.၃	၅၇.၅	38	54	၃.၈	26	၆၀၀	၁၉၈၀ ခုနှစ်	28
၃.၅	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၅	25	၅၀၀	၁၇၅၀	30
4	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၂	25	၄၅၀	၁၈၀၀	32
ဓာတ်အား	Un 2000V။ DC၊ Urms 700Vac; US 3000V
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	အိုင်အမ်စ်
၀.၂၂	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	15	25	၁၅၀၀	၃၃၀	10
၀.၃၃	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	12	24	၁၅၀၀	၄၉၅	12
၀.၄၇	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	11	23	၁၄၀၀	၆၅၈	15
၀.၆၈	၄၂.၅	33	45	8	22	၁၂၀၀	၈၁၆	18
၀.၆၈	၅၇.၅	30	45	7	30	၁၁၀၀	၇၄၈	20
၀.၈၂	၄၂.၅	33	45	7	28	၁၂၀၀	၉၈၄	22
1	၅၇.၅	30	45	6	28	၁၁၀၀	၁၁၀၀	25
၁.၅	၅၇.၅	35	50	5	25	၁၀၀၀	၁၅၀၀	28
2	၅၇.၅	38	54	5	24	၈၀၀	၁၆၀၀	28
၂.၂	၅၇.၅	၄၂.၅	56	4	23	၇၀၀	၁၅၄၀	32
ဓာတ်အား	Un 3000V။ DC၊ Urms 750Vac; US 4500V
Cn(μF)	L(±၁)	တီ(±၁)	H(±၁)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	အိုင်ပီကေ (အေ)	အိုင်အမ်စ်
၀.၁၅	၄၂.၅	33	45	18	28	၂၅၀၀	၃၇၅	25
၀.၂၂	၄၂.၅	33	45	15	27	၂၂၀၀	၄၈၄	28
၀.၂၂	၅၇.၅	35	50	15	25	၂၀၀၀ ခုနှစ်	၃၃၀	20
၀.၃၃	၅၇.၅	35	50	12	24	၁၈၀၀	၄၉၅	20
၀.၄၇	၅၇.၅	38	54	11	23	၁၆၀၀	၇၅၂	22
၀.၆၈	၅၇.၅	၄၂.၅	56	8	22	၁၅၀၀	၁၀၂၀	28

အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

မေး ၁။ ဖလင်ကက်ပါဆက်တာအတွက် နမူနာမှာယူမှု ရနိုင်ပါသလား။
A: ဟုတ်ကဲ့၊ အရည်အသွေးစမ်းသပ်စစ်ဆေးရန်အတွက် နမူနာမှာယူမှုကို ကြိုဆိုပါသည်။ ရောနှောနမူနာများကို လက်ခံနိုင်ပါသည်။
*မေး ၂။ ပို့ဆောင်ချိန်ကော။*
A: နမူနာအတွက် ၃-၅ ရက် လိုအပ်ပြီး၊ မှာယူမှုအရေအတွက်ထက်ပိုပါက အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုအချိန် ၁-၂ ပတ် လိုအပ်ပါသည်။
မေးခွန်း ၃။ fim capacitors များအတွက် MOQ ကန့်သတ်ချက်ရှိပါသလား။
A: MOQ နည်းပြီး၊ နမူနာစစ်ဆေးခြင်းအတွက် 1pc ရရှိနိုင်ပါသည်။
မေးခွန်း ၄။ ဖလင်ကက်ပီတာများအတွက် မှာယူမှုကို မည်သို့ဆက်လက်လုပ်ဆောင်ရမည်နည်း။
A: ပထမဦးစွာ သင့်လိုအပ်ချက်များ သို့မဟုတ် လျှောက်လွှာကို ကျွန်ုပ်တို့အား အသိပေးပါ။ ဒုတိယအချက်အနေနဲ့ ကျွန်တော်တို့က သင့်ရဲ့လိုအပ်ချက်တွေ ဒါမှမဟုတ် ကျွန်တော်တို့ရဲ့ အကြံပြုချက်တွေအရ ကိုးကားပေးပါတယ်။ တတိယအချက်အနေဖြင့် ဖောက်သည်က နမူနာများကို အတည်ပြုပြီး တရားဝင်မှာယူမှုအတွက် ငွေသွင်းပါသည်။ စတုတ္ထအချက်အနေနဲ့ ကျွန်တော်တို့ ထုတ်လုပ်မှုကို စီစဉ်ပါတယ်။

မေး ၅။ ကုန်ပစ္စည်းတွေကို ဘယ်လိုပို့ဆောင်ပေးသလဲ၊ ရောက်ဖို့ အချိန်ဘယ်လောက်ကြာမလဲ။
A: ကျွန်ုပ်တို့သည် DHL၊ UPS၊ FedEx သို့မဟုတ် TNT ဖြင့် ပို့ဆောင်ပေးလေ့ရှိသည်။ ရောက်ရှိရန် ၃ ရက်မှ ၅ ရက်အထိ ကြာတတ်သည်။ လေကြောင်းနှင့် ပင်လယ်ရေကြောင်း ပို့ဆောင်မှုသည်လည်း ရွေးချယ်နိုင်သည်။
မေးခွန်း ၆။ ကျွန်ုပ်၏ လိုဂိုကို capacitor များပေါ်တွင် ရိုက်နှိပ်နိုင်ပါသလား။
A: ဟုတ်ကဲ့။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ထုတ်လုပ်မှုမပြုလုပ်မီ ကျွန်ုပ်တို့အား တရားဝင်အကြောင်းကြားပြီး ကျွန်ုပ်တို့၏ နမူနာအပေါ် အခြေခံ၍ ဒီဇိုင်းကို ဦးစွာ အတည်ပြုပေးပါ။
*မေး- ထုတ်ကုန်များအတွက် အာမခံချက်ပေးပါသလား။*
A: ဟုတ်ကဲ့၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ ထုတ်ကုန်များအတွက် ၇ နှစ်အာမခံပေးပါသည်။