High pulse load လုပ်နိုင်စွမ်းရှိသော အရည်အသွေးမြင့် snubber

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

IGBT snubber SMJ-P

CRE snubber film capacitors များသည် transient voltages များကို ကာကွယ်ရန်အတွက် လိုအပ်သော high peak current operation အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။

1. မြင့်မားသော dv/dt ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

2. IGBT အတွက် လွယ်ကူသော တပ်ဆင်မှု

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF အဖြစ် ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

နည်းပညာဆိုင်ရာအချက်အလက်

လည်ပတ်အပူချိန် အပိုင်းအခြား	အမြင့်ဆုံး၊ လည်ပတ်မှုအပူချိန်။၊ အမြင့်ဆုံး၊ အများဆုံး- +၁၀၅ ဒီဂရီ အထက်အမျိုးအစား အပူချိန် : +85 ℃ အမျိုးအစားအောက်ပိုင်းအပူချိန်: -40 ℃
capacitance အကွာအဝေး	0.1μF～5.6μF
အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အား	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
ဗို့အားကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။	1.5Un DC/10S
Dissipation factor	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
လျှပ်ကာခုခံ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ရိုက်ခတ်နေသောလက်ရှိကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။	datasheet ကိုကြည့်ပါ။
မီးမလောင်ခြင်း။	UL94V-0
သက်တမ်း	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
အကိုးအကားစံ	IEC61071;GB/T17702;

သတ်မှတ်ချက်ဇယား

ဓာတ်အား	Un 700V.DC၊Urms400Vac;Us1050V
	Dimension (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	12	25	၅၀၀	၂၃၅	8
၀.၆၈	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	10	25	၄၈၀	၃၂၆.၄	10
1	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	8	24	၄၅၀	၄၅၀	12
၁.၅	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	7	25	၄၃၀	၆၄၅	5
2	၄၂.၅	33	၃၅.၅	6	24	၄၂၀	၈၄၀	15
၂.၅	၄၂.၅	33	45	6	23	၄၀၀	၁၀၀၀	18
3	၄၂.၅	33	45	၅.၅	22	၃၈၀	၁၁၄၀	20
3	၅၇.၅	30	45	5	26	၃၅၀	၁၀၅၀	22
၃.၅	၄၂.၅	33	45	5	23	၃၅၀	၁၂၂၅	25
၃.၅	၅၇.၅	30	45	6	25	၃၀၀	၁၀၅၀	22
၄.၇	၅၇.၅	35	50	5	28	၂၈၀	၁၃၁၆	25
၅.၆	၅၇.၅	38	54	4	30	၂၅၀	၁၄၀၀	25
6	၅၇.၅	38	54	၃.၅	33	၂၃၀	၁၃၈၀	28
၆.၈	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၂	32	၂၂၀	၁၄၉၆	32
8	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၂.၈	30	၂၀၀	၁၆၀၀	33
ဓာတ်အား	Un 1000V.DC၊Urms500Vac;Us1500V
	Dimension (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	11	25	၁၀၀၀	၄၇၀	10
၀.၆၈	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	8	25	၈၀၀	၅၄၄	12
1	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	6	24	၈၀၀	၈၀၀	15
၁.၅	၄၂.၅	33	45	6	24	၇၀၀	၁၀၅၀	15
2	၄၂.၅	33	45	5	22	၇၀၀	၁၄၀၀	20
၂.၅	၅၇.၅	30	45	5	30	၆၀၀	၁၅၀၀	22
3	၅၇.၅	35	50	4	30	၆၀၀	၁၈၀၀	25
၃.၃	၅၇.၅	35	50	၃.၅	28	၅၅၀	၁၈၁၅	25
၃.၅	၅၇.၅	38	54	၃.၅	28	၅၀၀	၁၇၅၀	25
4	၅၇.၅	38	54	၃.၂	26	၅၀၀	၂၀၀၀	28
၄.၇	၅၇.၅	၄၂.၅	56	3	25	၄၂၀	၁၉၇၄	30
၅.၆	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၂.၈	24	၄၀၀	၂၂၄၀	32
ဓာတ်အား	Un 1200V.DC၊Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	11	24	၁၂၀၀	၅၆၄	10
၀.၆၈	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	7	23	၁၁၀၀	၇၄၈	12
1	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	6	22	၈၀၀	၈၀၀	14
၁.၅	၄၂.၅	33	45	5	20	၈၀၀	၁၂၀၀	15
2	၅၇.၅	30	45	4	30	၇၅၀	၁၅၀၀	20
၂.၅	၅၇.၅	35	50	4	28	၇၀၀	၁၇၅၀	25
3	၅၇.၅	35	50	4	27	၆၀၀	၁၈၀၀	25
၃.၃	၅၇.၅	38	54	4	27	၅၅၀	၁၈၁၅	28
၃.၅	၅၇.၅	38	54	၃.၅	25	၅၀၀	၁၇၅၀	28
4	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၅	25	၄၅၀	၁၈၀၀	30
၄.၇	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၂	23	၄၂၀	၁၉၇၄	32
ဓာတ်အား	Un 1700V.DC၊Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
၀.၃၃	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	12	25	၁၃၀၀	၄၂၉	9
၀.၄၇	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	10	24	၁၃၀၀	၆၁၁	10
၀.၆၈	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	8	23	၁၃၀၀	၈၈၄	12
1	၄၂.၅	33	45	7	22	၁၂၀၀	၁၂၀၀	15
၁.၅	၄၂.၅	33	45	6	22	၁၂၀၀	၁၈၀၀	18
၁.၅	၅၇.၅	30	45	5	31	၁၂၀၀	၁၈၀၀	20
2	၅၇.၅	30	45	5	30	၁၁၀၀	၂၂၀၀	22
၂.၅	၅၇.၅	35	50	4	28	၁၁၀၀	၂၇၅၀	25
3	၅၇.၅	38	54	4	27	၇၀၀	၂၁၀၀	25
၃.၃	၅၇.၅	38	54	၃.၈	26	၆၀၀	၁၉၈၀	28
၃.၅	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၅	25	၅၀၀	၁၇၅၀	30
4	၅၇.၅	၄၂.၅	56	၃.၂	25	၄၅၀	၁၈၀၀	32
ဓာတ်အား	Un 2000V.DC၊Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
၀.၂၂	၄၂.၅	၂၄.၅	၂၇.၅	15	25	၁၅၀၀	၃၃၀	10
၀.၃၃	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	12	24	၁၅၀၀	၄၉၅	12
၀.၄၇	၄၂.၅	၃၃.၅	၃၅.၅	11	23	၁၄၀၀	၆၅၈	15
၀.၆၈	၄၂.၅	33	45	8	22	၁၂၀၀	၈၁၆	18
၀.၆၈	၅၇.၅	30	45	7	30	၁၁၀၀	၇၄၈	20
၀.၈၂	၄၂.၅	33	45	7	28	၁၂၀၀	၉၈၄	22
1	၅၇.၅	30	45	6	28	၁၁၀၀	၁၁၀၀	25
၁.၅	၅၇.၅	35	50	5	25	၁၀၀၀	၁၅၀၀	28
2	၅၇.၅	38	54	5	24	၈၀၀	၁၆၀၀	28
၂.၂	၅၇.၅	၄၂.၅	56	4	23	၇၀၀	၁၅၄၀	32
ဓာတ်အား	Un 3000V.DC၊Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
၀.၁၅	၄၂.၅	33	45	18	28	၂၅၀၀	၃၇၅	25
၀.၂၂	၄၂.၅	33	45	15	27	၂၂၀၀	၄၈၄	28
၀.၂၂	၅၇.၅	35	50	15	25	၂၀၀၀	၃၃၀	20
၀.၃၃	၅၇.၅	35	50	12	24	၁၈၀၀	၄၉၅	20
၀.၄၇	၅၇.၅	38	54	11	23	၁၆၀၀	၇၅၂	22
၀.၆၈	၅၇.၅	၄၂.၅	56	8	22	၁၅၀၀	၁၀၂၀	28